12月5日消息，接口将推据媒体报道，速度三星即将在国际固态电路会议（ISSCC）上展示其最新的超层星出第第10代超过400层3D NAND Flash，接口速度可达5.6 GT/s。接口将推

三星的速度这一新一代V-NAND保持了TLC（三级单元，或每个单元3位）架构，超层星出第每个芯片的接口将推容量为1Tb（128GB）。

三星声称，速度其新的超层星出第超400层3D TLC NAND Flash的存储密度达到了28 Gb/mm²，略低于其1Tb 3D QLC V-NAND的接口将推28.5 Gb/mm²，后者是速度目前世界上存储密度最高的NAND Flash。

此外，超层星出第三星第10代V-NAND的接口将推接口速度达到5.6 GT/s，明显快于长江存储的速度3.6 GT/s。

在5.6 GT/s的超层星出第速度下，相当于约700 MB/s的数据传输速率，意味着其中10个设备可以使PCIe4.0 x4接口饱和，而20个足以使超快的PCIe5.0x4接口饱和。

三星计划在ISSCC 10上推出第10代V-NAND，因此很可能在明年开始批量生产这种NAND Flash，只是尚不清楚新何时会进入三星自己的SSD。

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